HJT-Solarzellen haben ein bifaziales Strukturdesign, das das einfallende Licht und das Streulicht von beiden Seiten absorbieren kann -Typ monokristalliner Siliziumwafer nach dem Texturieren und Reinigen der Oberfläche, und dann wird eine sehr dünne intrinsische Silizium-Passivschicht und eine N-Typ-Silizium-dotierte Schicht auf der anderen Seite abgeschieden.

Nach der Abscheidung von amorphen Siliziumschichtstapeln wird eine PVD-Magnetron-Sputter-Beschichtungstechnologie angewendet, um einen transparenten leitfähigen Oxidfilm (TCo) und einen Metallstapel auf beiden Seiten der Zellen abzuscheiden.

Schließlich werden die Metallgitter auf beiden Seiten durch unsere innovative Metallisierungstechnologie geformt.

Unter Verwendung von Heterojunction-Solarzellen mit höherem Wirkungsgrad, bis zu mehr als 21,5% Moduleffizienz.

Führende Half-Cut-Technologie der HJT-Zelle.
Der stabilste Leistungstemperaturkoeffizient von -0,24% führt zu einer stabilen Ertragssteigerung.

Bei Verwendung eines N-Typ-Wafers wird kein LID durch das B-O-Paar verursacht
Ausgezeichnete PID-Beständigkeit.

85% bifazialer Faktor bringt mehr zusätzlichen Ertragsgewinn von Rückseite zu Rückseite.